На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | BLF4G20-110B,112 | BLF4G20LS-110B,112 | BLF4G20LS-130,112 | BLF4G20S-110B,112 | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | 2-LDMOST, SOT502A | 2-LDMOST, SOT502B | 2-LDMOST, SOT502B | 2-LDMOST, SOT502B |
Производитель | Производитель | NXP Semiconductors | |||
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | 65 В | |||
Постоянный ток стока | IDSS | 12 А | 12 А | 15 А | 12 А |
Технология изготовления полевого транзистора | Технология | LDMOS | |||
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | |||
Частота | f | 1.93 ГГц | |||
Количество однотипных элементов в корпусе | Элементов | ||||
P1dB | P1dB | 100 Вт | 100 Вт | 130 Вт | 100 Вт |
Коэффициент усиления | KdB | 13.5 дБ | 13.4 дБ | 14.6 дБ | 13.5 дБ |