На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | BLF4G10-160,112 | BLF4G10LS-120,112 | BLF4G10LS-160,112 | |
|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | 2-LDMOST, SOT502A | 2-LDMOST, SOT502B | 2-LDMOST, SOT502B |
Производитель | Производитель | NXP Semiconductors | ||
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | 65 В | ||
Постоянный ток стока | IDSS | 15 А | 12 А | 15 А |
Технология изготовления полевого транзистора | Технология | LDMOS | ||
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | ||
Частота | f | 894 МГц | 920 МГц | 894.2 МГц |
Количество однотипных элементов в корпусе | Элементов | |||
P1dB | P1dB | 160 Вт | 48 Вт | 160 Вт |
Коэффициент усиления | KdB | 19.7 дБ | 19 дБ | 19.7 дБ |