На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | BLF3G21-30,112 | BLF3G21-6,112 | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | 2-LDMOST, SOT467C | SOT-538A |
Производитель | Производитель | NXP Semiconductors | |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | 65 В | |
Постоянный ток стока | IDSS | 4.5 А | 2.3 А |
Технология изготовления полевого транзистора | Технология | LDMOS | |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | |
Частота | f | 2 ГГц | |
Количество однотипных элементов в корпусе | Элементов | ||
P1dB | P1dB | 30 Вт | 6 Вт |
Коэффициент усиления | KdB | 13.5 дБ | 15.5 дБ |