На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | BLF245,112 | BLF245B,112 | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SOT-123A | SOT-279A |
Производитель | Производитель | NXP Semiconductors | |
Коэффициент шума | NF | 2 дБ | (не задано) |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | 65 В | |
Постоянный ток стока | IDSS | 6 А | 4.5 А |
Технология изготовления полевого транзистора | Технология | MOSFET | |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | |
Частота | f | 175 МГц | |
Количество однотипных элементов в корпусе | Элементов | 2 | |
P1dB | P1dB | 30 Вт | |
Коэффициент усиления | KdB | 15.5 дБ | 18 дБ |