На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | BLF177,112 | BLF177C,112 | BLF177CR,112 | |
|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SOT-121B | ||
Производитель | Производитель | NXP Semiconductors | ||
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | 125 В | ||
Постоянный ток стока | IDSS | 16 А | ||
Технология изготовления полевого транзистора | Технология | MOSFET | ||
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | ||
Частота | f | 108 МГц | ||
Количество однотипных элементов в корпусе | Элементов | |||
P1dB | P1dB | 150 Вт | ||
Коэффициент усиления | KdB | 19 дБ | ||