BLF1046,112

BLF1046, BLF1046,112

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрBLF1046,112
Корпус микросхемы
Корпус
2-LDMOST, SOT467C
Производитель
Производитель
NXP Semiconductors
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
65 В
Постоянный ток стока
IDSS
4.5 А
Технология изготовления полевого транзистора
Технология
LDMOS
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch
Частота
f
960 МГц
Количество однотипных элементов в корпусе
Элементов
P1dB
P1dB
45 Вт
Коэффициент усиления
KdB
14 дБ