BLA1011-10,112

BLA1011, BLA1011-10,112, BLA1011-200,112, BLA1011-2,112, BLA1011-300,112, BLA1011S-200,112

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрBLA1011-10,112BLA1011-200,112BLA1011-2,112BLA1011-300,112BLA1011S-200,112
Корпус микросхемы
Корпус
2-LDMOST, SOT467C2-LDMOST, SOT502ASOT-538A2-LDMOST, SOT957A2-LDMOST, SOT502B
Производитель
Производитель
NXP Semiconductors
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
75 В75 В75 В65 В75 В
Постоянный ток стока
IDSS
2.2 А1 мкА2.2 А15 А1 мкА
Технология изготовления полевого транзистора
Технология
LDMOS
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch
Частота
f
1.03 ГГц ~ 1.09 ГГц1.03 ГГц1.03 ГГц ~ 1.09 ГГц1.03 ГГц ~ 1.09 ГГц1.03 ГГц
Количество однотипных элементов в корпусе
Элементов
P1dB
P1dB
10 Вт200 Вт2 Вт300 Вт200 Вт
Коэффициент усиления
KdB
15 дБ13 дБ16 дБ16.5 дБ13 дБ