На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | BLA1011-10,112 | BLA1011-200,112 | BLA1011-2,112 | BLA1011-300,112 | BLA1011S-200,112 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | 2-LDMOST, SOT467C | 2-LDMOST, SOT502A | SOT-538A | 2-LDMOST, SOT957A | 2-LDMOST, SOT502B |
Производитель | Производитель | NXP Semiconductors | ||||
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | 75 В | 75 В | 75 В | 65 В | 75 В |
Постоянный ток стока | IDSS | 2.2 А | 1 мкА | 2.2 А | 15 А | 1 мкА |
Технология изготовления полевого транзистора | Технология | LDMOS | ||||
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | ||||
Частота | f | 1.03 ГГц ~ 1.09 ГГц | 1.03 ГГц | 1.03 ГГц ~ 1.09 ГГц | 1.03 ГГц ~ 1.09 ГГц | 1.03 ГГц |
Количество однотипных элементов в корпусе | Элементов | |||||
P1dB | P1dB | 10 Вт | 200 Вт | 2 Вт | 300 Вт | 200 Вт |
Коэффициент усиления | KdB | 15 дБ | 13 дБ | 16 дБ | 16.5 дБ | 13 дБ |