На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | BG3430RE6327 | |
|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 |
Производитель | Производитель | Infineon Technologies |
Коэффициент шума | NF | 1.3 дБ |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | 8 В |
Постоянный ток стока | IDSS | 25 мА |
Технология изготовления полевого транзистора | Технология | MOSFET |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch |
Частота | f | 800 МГц |
Количество однотипных элементов в корпусе | Элементов | 2 |
Коэффициент усиления | KdB | 25 дБ |