На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | BG3123E6327 | BG3123RE6327 | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | |
Производитель | Производитель | Infineon Technologies | |
Коэффициент шума | NF | 1.8 дБ | |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | 8 В | |
Технология изготовления полевого транзистора | Технология | MOSFET | |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | |
Частота | f | 800 МГц | |
Количество однотипных элементов в корпусе | Элементов | 2 | |
Коэффициент усиления | KdB | 25 дБ | |