На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | BF999E6327 | BF999E6433 | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SOT-23 | |
Производитель | Производитель | Infineon Technologies | |
Коэффициент шума | NF | 2.1 дБ | |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | 20 В | |
Постоянный ток стока | IDSS | 30 мА | |
Технология изготовления полевого транзистора | Технология | MOSFET | |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | |
Частота | f | 45 МГц | |
Количество однотипных элементов в корпусе | Элементов | ||
Коэффициент усиления | KdB | 27 дБ | |