На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | BF998,215 | BF998E6327 | BF998R,215 | BF998RE6327 | BF998WR,115 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SOT-143, SOT-143B, TO-253AA | SOT-143, SOT-143B, TO-253AA | SOT-143R | SOT-143R | SOT-343R |
Производитель | Производитель | NXP Semiconductors | Infineon Technologies | NXP Semiconductors | Infineon Technologies | NXP Semiconductors |
Коэффициент шума | NF | 600 мдБ | 2.8 дБ | 600 мдБ | 2.8 дБ | 600 мдБ |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | 12 В | ||||
Постоянный ток стока | IDSS | 30 мА | ||||
Технология изготовления полевого транзистора | Технология | MOSFET Dual Gate | MOSFET | MOSFET Dual Gate | MOSFET | MOSFET Dual Gate |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | ||||
Частота | f | 200 МГц | 45 МГц | 200 МГц | 45 МГц | 200 МГц |
Количество однотипных элементов в корпусе | Элементов | |||||
Коэффициент усиления | KdB | (не задано) | 28 дБ | (не задано) | 28 дБ | (не задано) |