BF908,215

BF908, BF908,215, BF908WR,115

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрBF908,215BF908WR,115
Корпус микросхемы
Корпус
SOT-143, SOT-143B, TO-253AACMPAK-4
Производитель
Производитель
NXP Semiconductors
Коэффициент шума
NF
600 мдБ
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
12 В
Постоянный ток стока
IDSS
40 мА
Технология изготовления полевого транзистора
Технология
MOSFET Dual Gate
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch
Частота
f
200 МГц
Количество однотипных элементов в корпусе
Элементов