На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | BF1208,115 | BF1208D,115 | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SS Mini-6 (SOT-666) | |
Производитель | Производитель | NXP Semiconductors | |
Коэффициент шума | NF | 1.3 дБ | 900 мдБ |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | 6 В | |
Постоянный ток стока | IDSS | 30 мА | |
Технология изготовления полевого транзистора | Технология | MOSFET Dual Gate | |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | |
Частота | f | 400 МГц | |
Количество однотипных элементов в корпусе | Элементов | ||
Коэффициент усиления | KdB | 32 дБ | |