На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | BF1201WR,115 | |
|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | CMPAK-4 |
Производитель | Производитель | NXP Semiconductors |
Коэффициент шума | NF | 1 дБ |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | 10 В |
Постоянный ток стока | IDSS | 30 мА |
Технология изготовления полевого транзистора | Технология | MOSFET Dual Gate |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch |
Частота | f | 400 МГц |
Количество однотипных элементов в корпусе | Элементов | |
Коэффициент усиления | KdB | 29 дБ |