На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | BF1105R,215 | BF1105WR,115 | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SOT-143R | CMPAK-4 |
Производитель | Производитель | NXP Semiconductors | |
Коэффициент шума | NF | 1.7 дБ | |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | 7 В | |
Постоянный ток стока | IDSS | 30 мА | |
Технология изготовления полевого транзистора | Технология | MOSFET Dual Gate | |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | |
Частота | f | 800 МГц | |
Количество однотипных элементов в корпусе | Элементов | ||
Коэффициент усиления | KdB | 20 дБ | |