На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | BF1100,215 | BF1100R,215 | BF1100WR,115 | |
|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SC-61B | SOT-143R | CMPAK-4 |
Производитель | Производитель | NXP Semiconductors | ||
Коэффициент шума | NF | 2 дБ | ||
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | 14 В | ||
Постоянный ток стока | IDSS | 30 мА | ||
Технология изготовления полевого транзистора | Технология | MOSFET Dual Gate | ||
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | ||
Частота | f | 800 МГц | ||
Количество однотипных элементов в корпусе | Элементов | |||