На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | BF1005E6327 | BF1005SE6327 | BF1005SE6433 | BF1005SRE6327 | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SOT-143, SOT-143B, TO-253AA | SOT-143, SOT-143B, TO-253AA | SOT-143, SOT-143B, TO-253AA | SOT-143R |
Производитель | Производитель | Infineon Technologies | |||
Коэффициент шума | NF | 1.6 дБ | |||
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | 8 В | |||
Постоянный ток стока | IDSS | 25 мА | |||
Технология изготовления полевого транзистора | Технология | MOSFET | |||
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | |||
Частота | f | 800 МГц | |||
Количество однотипных элементов в корпусе | Элементов | ||||
Коэффициент усиления | KdB | 19 дБ | 22 дБ | 22 дБ | 22 дБ |