На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | 3SK263-5-TG-E | |
|---|---|---|
Производитель | Производитель | SANYO Semiconductor (U.S.A) Co |
Коэффициент шума | NF | 2.2 дБ |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | 15 В |
Постоянный ток стока | IDSS | 30 мА |
Технология изготовления полевого транзистора | Технология | MOSFET Dual Gate |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch |
Частота | f | 200 МГц |
Количество однотипных элементов в корпусе | Элементов | |
Коэффициент усиления | KdB | 21 дБ |