На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | VB20120C-E3/4W | VB20120C-E3/8W | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | |
Производитель | Производитель | Vishay/General Semiconductor | |
Прямое напряжение | UF | 900 мВIf = 10A | |
Обратное напряжение | UR | <120 В | |
Прямой ток | IF | <10 А | |
Обратный ток | IR | <700 мкАUr = 120V | |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |
Технология диода | Технология | Schottky | |
Класс скорости диода | Скорость | Fast Recovery | |
Тип соединения диодов в сборке | Соединение | 2 (общий катод) | |