SB20H200

SB20H200, SB20H200CT-1E3/45

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрSB20H200CT-1E3/45
Корпус микросхемы
Корпус
I²Pak, TO-262 (3 straight leads + tab)
Производитель
Производитель
Vishay/General Semiconductor
Прямое напряжение
UF
880 мВIf = 10A
Обратное напряжение
UR
<200 В
Прямой ток
IF
<10 А
Обратный ток
IR
<5 мкАUr = 200V
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстия
Технология диода
Технология
Schottky
Класс скорости диода
Скорость
Fast Recovery
Тип соединения диодов в сборке
Соединение
2 (общий катод)