MMBD2835LT1

MMBD2835, MMBD2835LT1, MMBD2835LT1G

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрMMBD2835LT1MMBD2835LT1G
Корпус микросхемы
Корпус
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
Производитель
Производитель
ON Semiconductor
Прямое напряжение
UF
1.2 ВIf = 100mA
Обратное напряжение
UR
<35 В
Прямой ток
IF
<100 мА
Обратный ток
IR
<100 нАUr = 30V
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Время восстановления
tREC
<4 нс
Технология диода
Технология
Стандарт
Класс скорости диода
Скорость
Small Signal =< 200ma
Тип соединения диодов в сборке
Соединение
2 (общий анод)