BYW51G-200

BYW51G-200, BYW51G-200-TR

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрBYW51G-200-TR
Корпус микросхемы
Корпус
D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)
Производитель
Производитель
STMicroelectronics
Прямое напряжение
UF
850 мВIf = 8A
Обратное напряжение
UR
<200 В
Прямой ток
IF
<10 А
Обратный ток
IR
<15 мкАUr = 200V
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Время восстановления
tREC
<35 нс
Технология диода
Технология
Стандарт
Класс скорости диода
Скорость
Fast Recovery
Тип соединения диодов в сборке
Соединение
2 (общий катод)