На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | BYVB32-200-E3/45 | BYVB32-200-E3/81 | BYVB32-200HE3/45 | BYVB32-200HE3/81 | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | |||
Производитель | Производитель | Vishay/General Semiconductor | |||
Прямое напряжение | UF | 1.15 ВIf = 20A | |||
Обратное напряжение | UR | <200 В | |||
Прямой ток | IF | <18 А | |||
Обратный ток | IR | <10 мкАUr = 200V | |||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |||
Время восстановления | tREC | <25 нс | |||
Технология диода | Технология | Стандарт | |||
Класс скорости диода | Скорость | Fast Recovery | |||
Тип соединения диодов в сборке | Соединение | 2 (общий катод) | |||