На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | BYV32-200-E3/45 | BYV32-200G | BYV32-200HE3/45 | |
|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | TO-220-3 (Straight Leads) | ||
Производитель | Производитель | Vishay/General Semiconductor | ON Semiconductor | Vishay/General Semiconductor |
Прямое напряжение | UF | 1.15 ВIf = 20A | ||
Обратное напряжение | UR | <200 В | ||
Прямой ток | IF | <18 А | <8 А | <18 А |
Обратный ток | IR | <10 мкАUr = 200V | <50 мкАUr = 200V | <10 мкАUr = 200V |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия | ||
Время восстановления | tREC | <25 нс | <35 нс | <25 нс |
Технология диода | Технология | Стандарт | ||
Класс скорости диода | Скорость | Fast Recovery | ||
Тип соединения диодов в сборке | Соединение | 2 (общий катод) | ||
Серия диодов | Серия | SWITCHMODE™ | ||