BAW56T

BAW56T, BAW56T,115, BAW56T116, BAW56T-7, BAW56T-7-F, BAW56TA, BAW56TE6327, BAW56TT1, BAW56TT1G, BAW56T-TP

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрBAW56T,115BAW56T116BAW56T-7BAW56T-7-FBAW56TABAW56TE6327BAW56TT1BAW56TT1GBAW56T-TP
Корпус микросхемы
Корпус
EMT3 (SOT-416)SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SC-75-3, SOT-416, EMT3SC-75-3, SOT-416, EMT3
Производитель
Производитель
NXP SemiconductorsRohm SemiconductorDiodes IncDiodes IncDiodes/ZetexInfineon TechnologiesON SemiconductorON SemiconductorMicro Commercial Co
Прямое напряжение
UF
1 ВIf = 50mA1.25 ВIf = 150mA1 ВIf = 50mA1 ВIf = 50mA1.25 ВIf = 150mA1.25 ВIf = 150mA1.25 ВIf = 150mA1.25 ВIf = 150mA1.25 ВIf = 150mA
Обратное напряжение
UR
<90 В<70 В<85 В<85 В<75 В<80 В<70 В<70 В<85 В
Обратный ток
IR
<500 нАUr = 80V<1 мкАUr = 75V<2 мкАUr = 75V<2 мкАUr = 75V<2.5 мкАUr = 75V<150 нАUr = 70V<2.5 мкАUr = 70V<2.5 мкАUr = 70V<2 мкАUr = 75V
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Время восстановления
tREC
<4 нс<4 нс<4 нс<4 нс<4 нс<4 нс<6 нс<6 нс<4 нс
Технология диода
Технология
Стандарт
Класс скорости диода
Скорость
Small Signal =< 200maFast RecoverySmall Signal =< 200maSmall Signal =< 200maFast RecoverySmall Signal =< 200maSmall Signal =< 200maSmall Signal =< 200maSmall Signal =< 200ma
Тип соединения диодов в сборке
Соединение
2 (общий анод)