На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | BAS40-06,215 | BAS40-06,235 | BAS40-06-7 | BAS40-06-7-F | BAS40-06B5003 | BAS40-06E6327 | BAS40-06E6433 | BAS40-06LT1 | BAS40-06LT1G | BAS40-06T-7-F | BAS40-06-TP | BAS40-06W,115 | BAS40-06WE6327 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SC-70-3 | ||||||
Производитель | Производитель | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors | Diodes Inc | Diodes Inc | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | ON Semiconductor | ON Semiconductor | Diodes Inc | Micro Commercial Co | NXP Semiconductors | Infineon Technologies |
Прямое напряжение | UF | 1 ВIf = 40mA | ||||||||||||
Обратное напряжение | UR | <40 В | ||||||||||||
Обратный ток | IR | <10 мкАUr = 40V | <10 мкАUr = 40V | <200 нАUr = 30V | <200 нАUr = 30V | <1 мкАUr = 30V | <1 мкАUr = 30V | <1 мкАUr = 30V | <1 мкАUr = 25V | <1 мкАUr = 25V | <200 нАUr = 30V | <200 нАUr = 30V | <10 мкАUr = 40V | <1 мкАUr = 30V |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | ||||||||||||
Время восстановления | tREC | (не задано) | (не задано) | <5 нс | <5 нс | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) | <5 нс | <5 нс | (не задано) | (не задано) |
Технология диода | Технология | Schottky | ||||||||||||
Класс скорости диода | Скорость | Small Signal =< 200ma | ||||||||||||
Тип соединения диодов в сборке | Соединение | 2 (общий анод) | ||||||||||||