На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | BAS35,215 | |
|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 |
Производитель | Производитель | NXP Semiconductors |
Прямое напряжение | UF | 900 мВIf = 100mA |
Обратное напряжение | UR | <90 В |
Прямой ток | IF | <200 мА |
Обратный ток | IR | <100 нАUr = 90V |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный |
Время восстановления | tREC | <50 нс |
Технология диода | Технология | Avalanche |
Класс скорости диода | Скорость | Fast Recovery |
Тип соединения диодов в сборке | Соединение | 2 (общий анод) |