На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | BAS31,215 | BAS31,235 | BAS31_D87Z | |
|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | ||
Производитель | Производитель | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors | Fairchild Semiconductor |
Прямое напряжение | UF | 900 мВIf = 100mA | 900 мВIf = 100mA | 1 ВIf = 200mA |
Обратное напряжение | UR | <90 В | <90 В | <120 В |
Прямой ток | IF | <200 мА | ||
Обратный ток | IR | <100 нАUr = 90V | ||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | ||
Время восстановления | tREC | <50 нс | ||
Технология диода | Технология | Avalanche | Avalanche | Стандарт |
Класс скорости диода | Скорость | Fast Recovery | Fast Recovery | Small Signal =< 200ma |