BAS101S

BAS101S, BAS101S,215

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрBAS101S,215
Корпус микросхемы
Корпус
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
Производитель
Производитель
NXP Semiconductors
Прямое напряжение
UF
1.1 ВIf = 100mA
Обратное напряжение
UR
<300 В
Обратный ток
IR
<150 нАUr = 250V
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Время восстановления
tREC
<50 нс
Технология диода
Технология
Стандарт
Класс скорости диода
Скорость
Small Signal =< 200ma