На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | MMBV809LT1 | MMBV809LT1G | MMBV809LT3G | |
|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | ||
Производитель | Производитель | ON Semiconductor | ||
Обратное напряжение | UR | <20 В | ||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | ||
Тип соединения диодов в сборке | Соединение | Single | ||
Тип | Тип | TUNING | ||
Номинальная емкость | Емкость | 6.1 пФVr, F = 2V, 1MHz | ||
Соотношение минимальной и максимальной емкости | Соотн. емкости | 2.6 | ||
Добротность | Q | 75Vr, F = 3V, 500MHz | ||
Управляющее напряжение варикапа | Vvar | 2 В ~ 8 В | ||