MMBV409

MMBV409, MMBV409LT1, MMBV409LT1G

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрMMBV409LT1MMBV409LT1G
Корпус микросхемы
Корпус
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
Производитель
Производитель
ON Semiconductor
Обратное напряжение
UR
<20 В
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Тип соединения диодов в сборке
Соединение
Single
Тип
Тип
TUNING
Номинальная емкость
Емкость
32 пФVr, F = 3V, 1MHz
Соотношение минимальной и максимальной емкости
Соотн. емкости
1.9
Добротность
Q
200Vr, F = 3V, 50MHz
Управляющее напряжение варикапа
Vvar
3 В ~ 8 В