На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | MMBV3102LT1 | MMBV3102LT1G | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | |
Производитель | Производитель | ON Semiconductor | |
Обратное напряжение | UR | <30 В | |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |
Тип соединения диодов в сборке | Соединение | Single | |
Тип | Тип | TUNING | |
Номинальная емкость | Емкость | 25 пФVr, F = 3V, 1MHz | |
Соотношение минимальной и максимальной емкости | Соотн. емкости | 4.8 | |
Добротность | Q | 200Vr, F = 3V, 50MHz | |
Управляющее напряжение варикапа | Vvar | 3 В ~ 25 В | |