MMBV109

MMBV109, MMBV109LT1, MMBV109LT1G, MMBV109LT3, MMBV109LT3G

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрMMBV109LT1MMBV109LT1GMMBV109LT3MMBV109LT3G
Корпус микросхемы
Корпус
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
Производитель
Производитель
ON Semiconductor
Обратное напряжение
UR
<30 В
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Тип соединения диодов в сборке
Соединение
Single
Тип
Тип
TUNING
Номинальная емкость
Емкость
32 пФVr, F = 3V, 1MHz
Соотношение минимальной и максимальной емкости
Соотн. емкости
6.5
Добротность
Q
200Vr, F = 3V, 50MHz
Управляющее напряжение варикапа
Vvar
3 В ~ 25 В