JDV2S01ETH3FT
JDV2S01, JDV2S01ETH3FT
На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
Описание
Параметры
| Параметр | JDV2S01ETH3FT | |
|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | 1-1G1A |
Производитель | Производитель | Toshiba |
Обратное напряжение | UR | <10 В |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный |
Тип соединения диодов в сборке | Соединение | Single |
Тип | Тип | VARICAP |
Номинальная емкость | Емкость | 1.81 пФVr, F = 4V, 1MHz |
Соотношение минимальной и максимальной емкости | Соотн. емкости | 2 |
Управляющее напряжение варикапа | Vvar | 1 В ~ 4 В |