На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | ZXMN6A09DN8TA | ZXMN6A09DN8TC | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | 8-SOIC (3.9мм ширина) | |
Производитель | Производитель | Diodes/Zetex | |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |
Мощность | P | <1.25 Вт | |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 1.407 нФVds = 40V | |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <60 В | |
Постоянный ток стока | IDSS | <4.3 А | |
Тип канала полевого транзистора | Канал | 2 N-Channel (Dual) | |
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <40 мОмId, Vgs = 8.2A, 10V | |
Заряд затвора | QG | 24.2 нCVgs = 5V | |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | |
Количество однотипных элементов в корпусе | Элементов | 2 | |