На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | ZXMN3A06DN8TA | ZXMN3A06DN8TC | ZXMN3A06N8TA | |
|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | 8-SOIC (3.9мм ширина) | ||
Производитель | Производитель | Diodes/Zetex | ||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | ||
Мощность | P | <1.25 Вт | <1.25 Вт | (не задано) |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 796 пФVds = 25V | 796 пФVds = 25V | (не задано) |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <30 В | ||
Постоянный ток стока | IDSS | <4.9 А | <4.9 А | (не задано) |
Тип канала полевого транзистора | Канал | 2 N-Channel (Dual) | ||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <35 мОмId, Vgs = 9A, 10V | <35 мОмId, Vgs = 9A, 10V | (не задано) |
Заряд затвора | QG | 17.5 нCVgs = 10V | 17.5 нCVgs = 10V | (не задано) |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Standard |
Количество однотипных элементов в корпусе | Элементов | 2 | ||