На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | ZXMHC3A01N8TC | ZXMHC3A01T8TA | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | 8-SOIC | SOT-223 (8 leads), SM8 |
Производитель | Производитель | Diodes Inc | Diodes/Zetex |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |
Мощность | P | <870 мВт | <1.3 Вт |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 190 пФVds = 25V | |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <30 В | |
Постоянный ток стока | IDSS | <2.17 А | <2.7 А |
Тип канала полевого транзистора | Канал | 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) | N and P-Channel |
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <125 мОмId, Vgs = 2.5A, 10V | <120 мОмId, Vgs = 2.5A, 10V |
Заряд затвора | QG | 3.9 нCVgs = 10V | 3.9 нCVgs = 15V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | |
Количество однотипных элементов в корпусе | Элементов | 4 | 2 |
Постоянный ток стока второго транзистора | IDSS2 | <1.64 А | <2 А |