ZXMHC10A07N8TC

ZXMHC10A07, ZXMHC10A07N8TC, ZXMHC10A07T8TA

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрZXMHC10A07N8TCZXMHC10A07T8TA
Корпус микросхемы
Корпус
8-SOICSOT-223 (8 leads), SM8
Производитель
Производитель
Diodes IncDiodes/Zetex
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Мощность
P
<870 мВт<1.3 Вт
Входная емкость полевого транзистора
C11
138 пФVds = 60V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<100 В
Постоянный ток стока
IDSS
<800 мА<1 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)N and P-Channel
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<700 мОмId, Vgs = 1.5A, 10V
Заряд затвора
QG
2.9 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Standard
Количество однотипных элементов в корпусе
Элементов
42
Постоянный ток стока второго транзистора
IDSS2
<680 мА<800 мА