ZXMD63P03

ZXMD63P03, ZXMD63P03XTA, ZXMD63P03XTC

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрZXMD63P03XTAZXMD63P03XTC
Корпус микросхемы
Корпус
8-MSOP, Micro8™, 8-uMAX, 8-uSOP,
Производитель
Производитель
Diodes/Zetex
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Мощность
P
<870 мВт
Входная емкость полевого транзистора
C11
270 пФVds = 25V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<30 В
Постоянный ток стока
IDSS
<2 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
2 P-Channel (Dual)
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<185 мОмId, Vgs = 1.2A, 10V
Заряд затвора
QG
7 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Logic Level Gate
Количество однотипных элементов в корпусе
Элементов
2