ZXMD63C03XTA

ZXMD63C03, ZXMD63C03XTA, ZXMD63C03XTC

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрZXMD63C03XTAZXMD63C03XTC
Корпус микросхемы
Корпус
8-MSOP, Micro8™, 8-uMAX, 8-uSOP,
Производитель
Производитель
Diodes/Zetex
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Мощность
P
<1.04 Вт
Входная емкость полевого транзистора
C11
290 пФVds = 25V290 пФVds = 25 V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<30 В
Постоянный ток стока
IDSS
<2.3 А<2 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
N and P-Channel
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<135 мОмId, Vgs = 1.7A, 10V
Заряд затвора
QG
8 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Logic Level Gate
Количество однотипных элементов в корпусе
Элементов
2
Постоянный ток стока второго транзистора
IDSS2
<2 А(не задано)