На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | TPS1120D | TPS1120DG4 | TPS1120DR | TPS1120DRG4 | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | 8-SOIC (3.9мм ширина) | |||
Производитель | Производитель | Texas Instruments | |||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |||
Мощность | P | <840 мВт | |||
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <15 В | |||
Постоянный ток стока | IDSS | <1.17 А | |||
Тип канала полевого транзистора | Канал | 2 P-Channel (Dual) | |||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <180 мОмId, Vgs = 1.5A, 10V | |||
Заряд затвора | QG | 5.45 нCVgs = 10V | |||
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | |||
Количество однотипных элементов в корпусе | Элементов | 2 | |||