На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | SIB911DK-T1-E3 | SIB911DK-T1-GE3 | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | PowerPAK SC-75-6 | PowerPAK® SC-75-6L Dual |
Производитель | Производитель | Vishay/Siliconix | |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |
Мощность | P | <1.1 Вт | |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 115 пФVds = 10V | |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <20 В | |
Постоянный ток стока | IDSS | <1.5 А | |
Тип канала полевого транзистора | Канал | 2 P-Channel (Dual) | |
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <295 мОмId, Vgs = 1.5A, 4.5V | |
Серия MOSFET | Серия | TrenchFET® | (не задано) |
Заряд затвора | QG | 4 нCVgs = 8V | |
FET Feature | FET Feature | Standard | |
Количество однотипных элементов в корпусе | Элементов | 2 | |