На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | SIA911DJ-T1-E3 | SIA911EDJ-T1-GE3 | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | PowerPAK® SC-70-6 Dual | |
Производитель | Производитель | Vishay/Siliconix | |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |
Мощность | P | <1.9 Вт | |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 355 пФVds = 10V | (не задано) |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <20 В | |
Постоянный ток стока | IDSS | <3.6 А | |
Тип канала полевого транзистора | Канал | 2 P-Channel (Dual) | |
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <94 мОмId, Vgs = 2.8A, 4.5V | <101 мОмId, Vgs = 2.7A, 4.5V |
Серия MOSFET | Серия | TrenchFET® | (не задано) |
Заряд затвора | QG | 12.8 нCVgs = 8V | 11 нCVgs = 8V |
FET Feature | FET Feature | Standard | Logic Level Gate |
Количество однотипных элементов в корпусе | Элементов | 2 | |