На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | SI9933BDY-T1-E3 | SI9933CDY-T1-GE3 | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | 8-SOIC (3.9мм ширина) | |
Производитель | Производитель | Vishay/Siliconix | |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |
Мощность | P | <1.1 Вт | <2 Вт |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | (не задано) | 665 пФVds = 10V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <20 В | |
Постоянный ток стока | IDSS | <3.6 А | <4 А |
Тип канала полевого транзистора | Канал | 2 P-Channel (Dual) | |
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <60 мОмId, Vgs = 4.7A, 4.5V | <58 мОмId, Vgs = 4.8A, 4.5V |
Заряд затвора | QG | 9 нCVgs = 4.5V | 26 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | Standard |
Количество однотипных элементов в корпусе | Элементов | 2 | |