На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | SI7956DP-T1-E3 | |
|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | PowerPAK® SO-8 Dual |
Производитель | Производитель | Vishay/Siliconix |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный |
Мощность | P | <1.4 Вт |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <150 В |
Постоянный ток стока | IDSS | <2.6 А |
Тип канала полевого транзистора | Канал | 2 N-Channel (Dual) |
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <105 мОмId, Vgs = 4.1A, 10V |
Серия MOSFET | Серия | TrenchFET® |
Заряд затвора | QG | 26 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate |
Количество однотипных элементов в корпусе | Элементов | 2 |