На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | SI7501DN-T1-E3 | SI7501DN-T1-GE3 | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | PowerPAK® 1212-8 | |
Производитель | Производитель | Vishay/Siliconix | |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |
Мощность | P | <1.6 Вт | |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <30 В | |
Постоянный ток стока | IDSS | <5.4 А | |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N and P-Channel | |
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <35 мОмId, Vgs = 7.7A, 10V | |
Серия MOSFET | Серия | TrenchFET® | (не задано) |
Заряд затвора | QG | 14 нCVgs = 10V | |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | |
Количество однотипных элементов в корпусе | Элементов | 2 | |
Постоянный ток стока второго транзистора | IDSS2 | <4.5 А | |