На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | SI5920DC-T1-E3 | |
|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | 1206-8 ChipFET™ |
Производитель | Производитель | Vishay/Siliconix |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный |
Мощность | P | <2.04 Вт |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 680 пФVds = 4V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <8 В |
Постоянный ток стока | IDSS | <4 А |
Тип канала полевого транзистора | Канал | 2 N-Channel (Dual) |
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <32 мОмId, Vgs = 6.8A, 4.5V |
Серия MOSFET | Серия | TrenchFET® |
Заряд затвора | QG | 12 нCVgs = 5V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate |
Количество однотипных элементов в корпусе | Элементов | 2 |