На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | SI5509DC-T1-E3 | |
|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | 1206-8 ChipFET™ |
Производитель | Производитель | Vishay/Siliconix |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный |
Мощность | P | <2.1 Вт |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 455 пФVds = 10V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <20 В |
Постоянный ток стока | IDSS | <5 А |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N and P-Channel |
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <52 мОмId, Vgs = 5A, 4.5V |
Серия MOSFET | Серия | TrenchFET® |
Заряд затвора | QG | 6.6 нCVgs = 5V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate |
Количество однотипных элементов в корпусе | Элементов | 2 |
Постоянный ток стока второго транзистора | IDSS2 | <3.9 А |