На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | SI4567DY-T1-E3 | |
|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | 8-SOIC (3.9мм ширина) |
Производитель | Производитель | Vishay/Siliconix |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный |
Мощность | P | <1.85 Вт |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 355 пФVds = 20V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <40 В |
Постоянный ток стока | IDSS | <4.1 А |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N and P-Channel |
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <60 мОмId, Vgs = 4.1A, 10V |
Серия MOSFET | Серия | TrenchFET® |
Заряд затвора | QG | 12 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard |
Количество однотипных элементов в корпусе | Элементов | 2 |
Постоянный ток стока второго транзистора | IDSS2 | <3.6 А |
Постоянная мощность, рассеяния второго транзистора | P2 | <1.95 Вт |